通常、位相シフトフルブリッジ回路は整流ダイオードに
発生するスパイク電圧を抑えるためにスナバ回路を用います。
一般的なCRスナバ、CRDスナバはコンデンサに蓄積された
電荷を抵抗で消費させるために電力変換効率が低下します。
本器は効率低下を回避するため、コンデンサに蓄えられた電荷を
「リカバリ時間を制御されたダイオード」で回生させて
抵抗での消費を抑制しました。

この方法の問題点は回生中にトランスの出力がゼロになると
トランスの出力部が短絡してしまいます。
本器ではこの問題を以下のように解決しています。
1.高速ダイオードとリアクトルにより急激な電流を制限する。

2.回生中にトランスの出力がゼロにならないように、
　出力を小さくする際は周波数を下げることで出力を制御する。